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砷化镓铟微光显微镜 (InGaAs)
砷化镓铟微光显微镜(InGaAs)与微光显微镜(EMMI)其侦测原理相同，都是用来侦测故障点定位，寻找亮点、热点(Hot Spot)的工具，其原理都是侦测电子-电洞结合与热载子所激发出的光子。差别在于InGaAs可侦测的波长较长，范围约在900nm到1600nm之间，等同于红外线的波长区 (EMMI则是在350nm-1100nm)。
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InGaAs相较EMMI，更适用在检测「先进制程组件的缺陷」。原因在于尺寸小的组件，相对操作电压也随之降低，使得热载子所激发出的光波长变得较长，而InGaAs就非常适合用于侦测先进制程产品的亮点、热点(Hot Spot)定位。
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案例分享
- InGaAs hot spot
- EMMI 与InGaAs比较
相同热点、亮点(Hot Spot)的状况下，EMMI与InGaAs侦测的强度落差。
- 应用范围
- 设备描述
- InGaAs与EMMI的应用雷同，但比 EMMI多了以下优点
- 侦测 缺陷(Defect)时间比 EMMI 短 5 ~ 10 倍。
- 可侦测到微小电流及先进制程的缺陷(Defect)。
- 可侦测到较轻微的 Metal Bridge。
- 针对 芯片 背面(Back-side)的定位分析，红外光对硅基板穿透率较高。
设备极限
InGaAs因镜头旋转角度限制，最多架4只针座(4支探针)于平台上，产品高度需低于10 cm，需完全暗房操作，不可有发光组件，且不适用产品于加热状态下进行实验。
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